中国杭州，2026年9月22日——业界居先的综合电子元器件制造商村田制作所（以下简称“村田”）初次亮相2026云栖大会，携面向AI数据中心（AIDC）的前沿芯片封装设计器件方案参展。本届大会于9月22日至24日在杭州举行，以“智以致用”为主题，将Agentic AI（代理式人工智能）作为核心议题，同步覆盖芯片、云基础设施、模型能力与模型服务、Agentic应用等全链路技术环节。村田基于长期深耕电子元器件领域所积累的深厚技术实力，集中展示从芯片级器件到产品选型及设计支持等全链路技术支持，为下一代AI数据中心提供优效、稳定的硬件底座。
随着AI大模型训练与推理需求的持续攀升，AI芯片功耗与供电电流不断攀升，负载的快速变化也对电源网络的响应能力提出了更高要求。村田利用自身丰富的专业技术和多样化的产品组合，从设计阶段开始，围绕电源完整性、信号完整性、散热管理和光电融合四大维度，构建了针对前沿封装和小芯片的解决方案。
面对AI芯片的大电流需求和快速负载变化，仅依靠单一位置或单一类型的电容器已难以兼顾储能能力、瞬态响应和布局空间。通常，板级电容器承担较大容量的能量储备，嵌入封装或基板内部的电容器有助于缩短供电路径，而靠近芯片部署的小型电容器则可进一步改良高频响应。针对这些多元设计需求，村田带来覆盖板载、嵌入式及芯片侧/焊盘侧应用的电容器产品组合。
板载方案方面，村田展出PAC系列大容量电容器，适用于AI服务器主板等高电流密度场景；同时展出村田初款1206封装220uF MLCC，在有限的电路板空间内提高电容量密度。
随着电源转换单元不断靠近芯片，供电路径和寄生参数对系统性能的影响愈发突出。为此，村田展出电容式iPaS™解决方案(1)，包括面向电压调节器应用的电容器阵列、嵌入式PCB方案，以及适用于更高工作频率和封装级应用的电容器阵列。iPaS™技术将电容功能直接嵌入基板内部，在有效节省布板空间的同时降低寄生电感，为AI芯片提供更有效的瞬态响应能力。
芯片侧/焊盘侧方案方面，村田展出LLL、LLF、NFM等多系列小型MLCC以及多款硅电容器产品。村田硅电容器在宽广温度范围及长期使用条件下均保持出众的容值稳定性，凭借高单位面积容值与高集成度优势，支持纤薄封装与多种贴装方式，有效助力AI芯片供电网络实现更高密度的电容布局。
随着AI芯片功耗与供电电流持续攀升，如何在有限空间内缩短供电路径、提高功率密度，已成为AI服务器电源设计的重要课题。围绕这一需求，村田展示了覆盖分立器件、封装基板内嵌及PCB内嵌等不同集成层级的电感器解决方案，推动供电单元进一步贴近芯片。
在芯片周边，村田的纤薄电感器(2)兼顾低高度与小型化，可适应高密度贴装需求，并支持电极结构的灵活设计。面向更高集成度的封装方案，村田展示了可嵌入封装基板的4阵列电感器(2)，通过阵列化配置适配不同电流需求，并支持顶部与底部电极设计。进一步延伸至电路板层面，电感器型iPaS™(2)将扁平线圈内置于PCB，使原本占用板面空间的元件转入基板内部，在节省安装空间的同时提高电源布局的设计灵活度。通过从表面贴装到基板内嵌的多层次布局，村田为AI服务器提供兼顾大电流、高密度与灵活设计的电感器方案。
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